జర్నల్ ఆఫ్ నానోసైన్స్ & నానోటెక్నాలజీ రీసెర్చ్ అందరికి ప్రవేశం

వాల్యూమ్ 3, సమస్య 1 (2019)

సమీక్షా వ్యాసం

Insights of Trap Level Effect on the Performance of InAlN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT)

  • Zhenzhong Yu*, Huiwu Hong, Qigao Fan and Yixin Zhu

పరిశోధన వ్యాసం

Hydrothermal Synthesis of Copper Sulfide Flowers and Nanorods for Lithium-Ion Battery Applications

  • Shurui Yang, Yan Ran, Huimin Wu, Shiquan Wang, Chuanqi Feng and Guohua Li